آیبیام از «اولین تراشهی زیر یک نانومتر» رونمایی کرد
خلاصهٔ کاملتر
به گزارش Ars Technica، آیبیام از معماری تازهای رونمایی کرده که میتونه نزدیک ۱۰۰ میلیارد ترانزیستور رو روی تراشهای به اندازهی ناخن دست جا بده — تقریباً دو برابر چگالی ترانزیستور نسل قبلی خود شرکت. IBM اسم این کار رو گذاشته «اولین فناوری تراشهی زیر یک نانومتر» برای دیتاسنترهای AI.
این برچسب یه توضیح لازم داره. ساختن ترانزیستور با ابعاد فیزیکی کمتر از یک نانومتر عملاً ممکن نیست. چیزی که IBM ادعا میکنه اینه که معماری تازهش همون جهش کاراییای رو میده که از یه تراشهی فرضی زیر یک نانومتر انتظار داشتیم. شرکت این گره رو ۰.۷ نانومتر یا «گره ۷ آنگستروم» مینامه (هر نانومتر ۱۰ آنگستروم). از دههها پیش این اعداد دیگه بُعد فیزیکی هیچی نیستن — درست مثل گرههای ۳ و ۲ نانومتری امروز که هیچ جزئی به اون اندازه ندارن.
خود معماری اسمش nanostack ـه: ترانزیستورها بهصورت عمودی و پلکانی روی هم چیده میشن تا تعداد بیشتری تو همون مساحت جا بشن. واحد پایه دو ترانزیستوره که روی هم سوار و به هم باند شدن، و هر ترانزیستور از سه نانوشیت تشکیل شده که هرکدوم ۵ نانومتر ضخامت دارن — چیزی حدود ۱۵ ردیف اتم سیلیکون. این کار ادامهی مستقیم ترانزیستورهای نانوشیت خود IBM ـه که راه رو برای گره ۲ نانومتری سال ۲۰۲۱ باز کرده بودن.
طبق گزارشهای فنی شرکت، nanostack میتونه ۵۰ درصد کارایی بیشتر یا ۷۰ درصد بازدهی انرژی بهتر نسبت به تراشههای ۲ نانومتری نسل قبل بده. این معماری اول بار تو سمپوزیوم VLSI سال ۲۰۲۵ در کیوتو معرفی شد.
جذابترین بخش برای بار کاری AI شاید حافظه باشه. IBM میگه با یه طراحی کانال پلکانی برای سلولهای SRAM (هر سلول شش ترانزیستور)، ارتفاع سلول ۴۰ درصد کم شده و همین یعنی ۴۰ درصد بهبود در مقیاسپذیری SRAM. این خبر مهمیه، چون مقیاسپذیری SRAM تو نسلهای اخیر تقریباً متوقف شده بود؛ به گفتهی Jay Gambetta از IBM Research، بین گره ۳ و ۲ نانومتری فقط چند درصد بهبود دیده شد.
نکتهی آخر اینه که IBM خودش تراشهی تجاری نمیسازه؛ نتیجهی تحقیقاتش رو با شریکهایی مثل Rapidus در ژاپن و سامسونگ صنعتی میکنه، و TSMC هم مستقلاً روی نانوشیت کار کرده. Huiming Bu از IBM میگه تولید تجاری تراشههای زیر یک نانومتر با این معماری «شاید تا پنج سال دیگه و به احتمال زیاد ظرف یک دهه» شروع بشه — پس فعلاً حرف از نقشهی راهه، نه محصول.
نکات کلیدی:
- معماری nanostack: چیدن عمودی و پلکانی ترانزیستورها؛ نزدیک ۱۰۰ میلیارد ترانزیستور روی تراشهای به اندازهی ناخن
- «زیر یک نانومتر» یه اسم تجاریه (گره ۰.۷ نانومتر / ۷ آنگستروم)، نه بُعد فیزیکی واقعی
- ادعای ۵۰٪ کارایی بیشتر یا ۷۰٪ بازدهی انرژی بهتر نسبت به گره ۲ نانومتری
- طراحی کانال پلکانی، ارتفاع سلول SRAM رو ۴۰٪ کم و مقیاسپذیریش رو ۴۰٪ بهتر میکنه
- IBM تراشهی تجاری نمیسازه؛ تولید انبوه احتمالاً بین ۵ تا ۱۰ سال دیگه با شریکها




